SJ 50033.26-1994 半导体分立器件2CW1006～2CW1015型硅电压调整二极管详细规范
|
ID： |
4458A8E6F1AF4D1CB6073CAC4B25964E |
|
文件大小(MB)： |
0.43 |
|
页数： |
8 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-27 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CW 1006.2CW1015 型硅电压调整二极管 SJ 50033/26-94,详细规范,Semko&ductor discrete device,Detail specification for type 2CW1OO6^2CW1O15,silicon voltage -regulator diode,11范圉,1.1主题内容,本规范规定了 2CW1006-2CW1015型硅电压调整二极管（以下简称器件）的详细要求,1-2适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和乘购,1-3分类,本规范根据然件质量保证等级进行分类,1-3.1器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》h 3条的规定,提供质量保证等级为普军、特军和超恃,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用标准,GB 6571—86,GB 7581—87,GJB 33—85,GJB 128-86,小功率信号二极管、稳压及基淮电压二极管测试方法,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.1详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定.,312设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1引出端涂层,引出端表面应镀锡。在不影响器件性能和标志的情况下,对引出端涂层另有要求时,可在,合同或订货单中规定见（6. 3条）,中华人民共和崗电子工业部199小09-30发布1994-12-01 实施,1 一,下载,SJ 50033/26-94,3. 2.2器件结构,在硅芯片的两面和引出端之间采用髙温拾金键合结构,这种器件为玻璃钝化实体封装,3.2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581中D2-10A型,见图1.,mm,D2—10A,符号 、、ーmin max,知2 0.72 0. 87,处3.50,G 5.0,L 25,Li L5,ム12.5,注::!)し为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度.,图1外形图,3.3最大额定值和主要电特性,3- 3.I最大额定值,型 号,fz11 IzM 7；p 丁也,(mW) (mA) g .,2CW1006-4010,500,55,一 55 .+ 150 —55 .+ 175,2CW1011 .1015 4Q,注;：I)当ア.>5。じ时,按5mW/X的速率线性降额,见图2,3- 3-2主要电特性(Tgb = 25。),2,sj 50033/26-94,型 号,Vz,厶=1彳T,(V) （ロ）,Jr】,ド r=6V,TmT5 c,(M) （%/r）,2CW1006,2CW1007,2CW1008,2CW1009,2CW1010,8,4±5% 20 50,0. 01,〇, 005,0. 002,0. 001,Q.QQQ5,2CW1O11,2CW1O12,2CW1O13,2CW1O14,2CWW15,11. 7±5% 30 50,①01,0. 005,0. 002,0. 001,〇. 0005,3.4 电渕试要求,电测试应符合GB 6571及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定.型号标志可不限于一行内,制造厂可省略下列标志:,a,制造厂的识别;,h 检验批识别代码;,c.型号命名中的2c部分.,3- 5-1极性标志,器件的负极端应用鲜明的色带标记,以示出器件的极性,4质量保证规定,4.1抽样和检验,抽样和检脸应按GJB 33和本规范的规定.,4-2鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1,极限值的器件应予以剔除,筛选(GJB 33表2) 测试或试验,3热冲击（温度循环） 除低温为ー55Z、循环1。次外,其余同试验条件F,4恒定加速度不要求,5密封不票求,6髙温反偏不要求,7中间测试ハ/R1,8电老化见4.3.1条,9最后测试,4& =初始值的±2Q%,4% =初始值的±2.5%,3,下载,SJ 50033/26-94,4.3.1 电老化条件,按GJB 128的1038方法试验条件B进行,ム=（见表5的第6栏值）/=g6h、T* = 25±5C,安装条件;离管体10mm处安装夹具固定二极管引线使其悬空.,4.3.2 示波器显示检验,伏安特性的反向击穿区应在适应的伏安特性范围内（见表5的第9栏）,利用一个示波器,进行观察,示波器的显示幡值应在水平和垂直两个方向上至少有5cm。在曲线弯曲起点处的电,流应小于60四A,剔出伏安特性曲线轨迹中有明显的折线、双曲线、不连接曲或和曲线抖动的器,件丒,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33和本规范的规定.,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和’本规范表2的规定进行。最后测试和参数变化量S）的要求应按,本规范表4的相应步骤的规定进行,4.413 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和参数变化量（4）的要求应按,本规范表4的相应步骤的规定进行,4-5检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范和相应的表和下列规定.,4- 5-1浪涌电流（丒.）,应在二极管反向施加表5第8栏中规定的峰值电流,并且这些峰值电流应与电流んT（表5,第3栏）迭加。采用方波脉冲,脉冲宽度10ms,浪涌1次,4.5.2 调整电压（七）,调整电压的测量应在施加测试电流んr为20电时,测量……
……